Характеристики:
1. PSLM; программируемая технология измерения модуляции фазового контура PMP
2. Технология синхронного структурированного освещения с четырехпозиционной/восьмипозиционной проекцией
3. Элементы измерения: отсутствующие детали, смещение, поворот, трехмерная полярность, обратные детали, OCV, деформация, боковое положение, памятник, плохая сварка и т.д.
4. Элементы контроля паяных соединений: рисунок наконечника припоя, процент содержания припоя, больше олова, меньше олова, образование перемычек, блокировка отверстий, скалывание олова, загрязнение площадки и т.д.
5. Минимальный элемент обнаружения: 01005 (на английском языке)
6. Точность X-Y: 10um
7. Оптическое разрешение: 5/8/10/12/15 мкм (настраивается
8. Высокая воспроизводимая точность: <1um 4sigma="" li="">
9. Зона обнаружения: 450x310 мм (двойная дорожка)
10. Телецентрический объектив со сверхвысоким количеством кадров и высокоточная промышленная камера
11. Скорость обнаружения: 0,45 секунды / FOV (100 см2 / с (21 М 15 мкм) Другие разрешения могут быть настроены)
12. Распознавание точки метки: 0,5 секунды/штука
13. Максимальная высота обнаружения: 10 мм (40 мм можно настроить)
14. Высота устройства на плате может быть передана: 50 мм
15. Максимальная высота измерения изогнутой печатной платы: ± 5 мм
16. Операционная система: Windows 10 Professional (64-разрядная версия)
17. Пятиминутное программирование, управление одной кнопкой
18. Управление технологическим процессом SPC
19. Другие преимущества программного обеспечения: благодаря патенту на технологию высокой и низкой экспозиции можно одновременно тестировать печатные платы самых разных цветов; можно тестировать различные пластины, такие как гибкие платы и керамические подложки; можно обнаруживать красный клей и черный клей; запатентованная технология гибридного трехмерного алгоритма контура поверхности CPU и GPU позволяет обнаруживать сверхплотные электронные компоненты 10 000 уровней сложности; используйте базовый алгоритм искусственного интеллекта для построения системы обнаружения нестандартных сценариев применения
